半导体掺杂是构建杂质能级、减小带隙，进而促进半导体材料光电催化性能的有效方法。设计了一种金属掺杂半导体材料的制备方法，将过渡金属Co与金属有机框架(MOF)MIL?125的阴离子配体通过配位作用相结合，采用热解工艺制备Co掺杂TiO2材料，并对其光催化性能进行了研究。结果表明，Co掺杂后的TiO2展现出更高的光电流密度(9.87 μA/cm2)，是未掺杂TiO2的3.8倍；降解反应速率常数从掺杂前的0.041 min?1提升至掺杂后的0.063 min?1；引入的Co物种不仅拓宽了TiO2的可见光吸收范围，而且在其晶格中诱导形成新的杂质能级，进而促进了光生电子的有效迁移，并有效抑制了光生电子?空穴对的复合。
