辽宁石油化工大学学报 ›› 2011, Vol. 31 ›› Issue (1): 67-71.DOI: 10.3696/j.issn.1672-6952.2011.01.019
赵 强1,赵 骞1,祁 阳2
ZHAO Qiang[Author]) AND 1[Journal]) AND year[Order])" target="_blank">ZHAO Qiang1,ZHAO Qian1,QI Yang2
摘要: 应用分子动力学方法模拟在刻有不同“深/宽”且截面为矩形凹槽的Cu衬底上进行同质外延生长的
过程。原子间采用嵌入原子方法(EAM)模型。模拟结果表明,凹槽的“深/宽”及沉积粒子的入射能对晶界倾角θ 和
V→/V↑ 产生影响,θ 随入射能增大而增大,V→/V↑ 随入射能增大而减小;在1000K 温度时,“深/宽”为1/2时,不能
形成较理想的薄膜,薄膜表面外延生长方向全部为竖直方向;而在“深/宽”为1/1,入射能为10eV 时,能形成较理想
薄膜。
赵强,赵骞,祁阳. 凹槽形Cu衬底上同质外延生长的分子动力学模拟[J]. 辽宁石油化工大学学报, 2011, 31(1): 67-71.
ZHAO Qiang,ZHAO Qian,QI Yang. Molecular Dynamics Simulation of Homogeneous Epitaxial Growth on Groove-Shaped Substrate of Cu[J]. Journal of Liaoning Petrochemical University, 2011, 31(1): 67-71.